俄罗斯宇航员太空行走成功，高纯度半导体晶体培育技术获突破

俄罗斯宇航员成功完成今年的首次太空行走，旨在培育高纯度半导体晶体，此次太空行走旨在探索在太空环境下生长高质量晶体的可能性，为半导体技术的未来发展提供新的可能性，太空环境独特的物理和化学条件为晶体生长提供了理想的场所，有望产生性能卓越的半导体材料，此次任务的成功实施对半导体产业及太空探索领域均具有重要意义。

10月17日消息，据新华社报道，俄罗斯国家航天集团今日发布消息称，国际空间站的两名俄宇航员16日晚至17日凌晨完成2025年首次太空行走，二人出舱后工作6小时11分钟并安全返回。

莫斯科时间16日晚8时零8分，谢尔盖·雷日科夫和阿列克谢·祖布里茨基打开舱门，开始太空行走。

据悉，在舱外活动期间，他们在多功能实验舱安装了用于分子束外延实验的设备，以在太空培育高纯度半导体晶体，这是本次出舱的主要任务。

而他们还对空间站外部设施进行维护，并完成其他科学实验准备工作。

雷日科夫此前宣布，他和祖布里茨基将于10月进行两次太空行走，目前下一次太空行走的具体日期尚未确定。