美光投资96亿美元在日本建设HBM工厂

美光计划在日本投资96亿美元建设HBM工厂，旨在提高其在全球存储市场的竞争力，这一举措显示出美光对日本市场的重视，并可能进一步推动该地区的半导体产业发展，该工厂的建造将带来先进的存储技术，有望促进全球存储技术的进步和创新，这一投资计划还需经过进一步的市场分析和风险评估，以确保项目的成功实施和盈利。

12月1日消息，知情人士表示，美光科技（Micron）计划投资约1.5万亿日元（约合96亿美元），在日本广岛现有厂区内建设一座新工厂，专门生产用于人工智能的高带宽内存（HBM）芯片。

该工厂预计于明年5月动工，2028年起开始出货。此举旨在推动生产基地多元化，避免先进芯片制造过度集中于台湾地区。

为振兴本土半导体产业，日本经济产业省将向该项目提供最高5000亿日元的补贴，希望通过此类扶持政策吸引美光、台积电等国际芯片制造商加大在日投资。

美光此前的主要HBM产能集中于美国和中国台湾。随着人工智能与数据中心投资快速增长，HBM需求持续攀升，美光自2019年以来首次启动新厂建设，并有意通过扩大在日本的生产布局，提升供应链韧性，同时增强与市场领先者SK海力士的竞争力。

今年5月，美光已在广岛工厂引进用于先进制程的极紫外光（EUV）设备，为未来生产下一代高带宽内存HBM4奠定了技术基础。