台积电A14进展顺利，性能提升15%，良率表现超预期

台积电宣布A14芯片生产进展顺利，良率表现优于预期，据透露，该芯片性能相较于N2版本提升了高达15%，这一重要公告表明，台积电在半导体技术方面持续取得显著进展，不断提升芯片性能以满足市场需求，这一消息对科技行业具有积极影响。

9月25日消息，近日，台积电公布了其下一代A14（1.4nm）工艺的最新进展，称其进展顺利，良率表现优于预期。

除了良率，A14工艺在性能和能效方面相较于N2工艺有着显著的提升，具体来说，A14性能比N2快15%，功耗降低了30%。

台积电计划在A14工艺中采用第二代GAAFET纳米片晶体管和全新的NanoFlex Pro标准单元架构，这些技术的应用将使芯片密度比N2工艺提升高达20%。

这意味着在相同的芯片面积上，可以容纳更多的晶体管，从而实现更高的计算能力和更低的功耗。

目前，台积电预计A14工艺将在2028年进入量产阶段，苹果、英伟达和AMD等大客户也将采用这一新工艺，A14有望在未来几年内成为推动消费电子产品性能提升的关键力量。