台积电加速推进埃米时代，明年量产2nm芯片，2018年投产领先技术1.4nm节点

台积电正在加速推进埃米时代的芯片制造，预计明年将量产领先的2nm芯片技术，并在更早的2018年投产先进的1.4nm制程技术，这一进展标志着台积电在半导体行业的领先地位，将推动全球芯片制造技术的持续进步，并为消费者带来更优质、更高效的电子产品体验。

10月8日消息，据最新行业报告披露，台积电正加速迈向 Angstrom（埃级，1埃米= 0.1纳米）制程时代。其尖端 A16（1.6纳米）、A14（1.4纳米）及2纳米制程的研发与生产筹备已进入关键阶段。

从台积电本土工厂进展来看，位于南部高雄的工厂正筹建六座晶圆厂，总投资额超 500 亿美元，是其目前重点投入的高价值项目。

其中五座晶圆厂将聚焦 2 纳米与 A16 制程的量产，第六座则计划专门用于高阶A14 制程生产，预计2028年实现该制程的量产落地。

随着这些尖端制程产能的逐步释放，高雄工厂将成为台积电引领 Angstrom 时代的核心基地之一。

在海外布局方面，台积电美国亚利桑那州工厂的产能建设与制程落地计划显著提速。

原本计划2027年投产的2纳米芯片（代号 N2），现在预计 2026 年下半年就能开始量产，比原计划早了快一年。未来还将在该工厂布局 A16 制程，并筹建3号、4号晶圆厂以扩大产能。

从行业竞争格局来看，台积电当前的制程技术优势较为明显，目前仅有少数竞争对手在推进类似尖端制程研发，但在进度上均落后台积电不少。

此前有报告称，Intel 的 14A（可能是1.4 纳米级别）制程预计 2028 年大规模量产，届时或与台积电的 A14

制程形成直接竞争。